
弊社にて調達またはお預りした厚さの金属板や樹脂をご指定の寸法に切り出したり成形、面取り加工をいたします。部分的な掘り込みは可能ですが、全体の厚さを薄くすることはできません。樹脂を厚くしたい場合は、極力目立たないよう積み重ねます。写真右は、銅円板を重しとしてご指定の重量になるよう製作し、クロムメッキを行っています。左は10mm厚の板を4枚重ね、高さを40mmとして光学部品測定用の試料台としたものです。
ご提示いただいた製作図面の寸法で丸穴、角穴を加工します。公差は材料によります。写真左はテフロン(PTFE)板の表面に5mm角の穴とピンセット挿入口を加工しサンプルホルダーとしたものです。中央はポリエステル樹脂板に試料穴とシールドボックス取り付け穴をあけたものです。右は市販のアルミボックスに穴加工を行いコネクタ、スイッチ、ゴム足を取り付けたものです。
市販品のアルミボックスにご希望の寸法の製品がない場合、ご指定の寸法のボックス等を曲げ加工いたします。コネクタボックスの場合は取り付け穴加工をいたします。
試料からの引き出し線等の形態に応じ、取り付けし易い受け側の機構部品を製作して取り付けます。写真は耐熱樹脂を加工し、ZIPソケット等で使用されているレバーを製作し、レバーを立てると角穴に仕込んだ2枚のバネ板の距離が広がって試料リ−ドの取り外しができ、レバーを水平に倒すとバネ板の距離が狭まってリードを固定する構造になっています。これにより抵抗部品の4端子測定を温度槽内で行えます。
プローブのアーム等を加工した後、ご指定の場所にピンやソケットを圧入します。この方式の場合、ソケット穴がゆるくなったら、他の場所に穴をあけ直すか、アームを作り直す必要があります。写真の例は透明アクリルのアームの先端5mmの位置に3mmのピッチでソケットを取り付けています。
ソケットを使用することができないピン、棒状のプローブ、ソケット自体が製造されていないタングステン探針等の場合は圧入ができないため、穴に通した後虫ネジで固定します。折れた場合は交換可能です。写真は1.3φのプローブを1.8mmのピッチでポリエステル樹脂に取り付け、水平に固定しています。試料面に対し特定の角度で針先を当てたい場合、±5°以内の精度で加工設計いたします。
薄い板に一列に、ご指定のピッチでコンタクトピンを取り付けます。板は樹脂でコンタクトピンはソケットを使った圧入となります。ソケットは最小0.5φです。金属板への取り付けの場合、3mm以下の薄板への取り付けは困難なため、エポキシ基板を代替とすることにより0.6mm厚の板に等間隔でピンの取付けを行います。
プローブまたはアームとして使用する棒を、ご指定の形状に曲げ加工いたします。写真左は1.3φのベリリウム銅の棒を45°に曲げ、先端を約30°で研磨しています。写真右は2.2φの真鍮の棒をポジショナのアームとするため曲げ加工し、先端に探針のホルダーを取り付けて試料電極への接触角度を設計したものです。
光学試料のアラインメント等、試料の正確な位置決めを必要とする場合、ガイドピンを立て、位置決め用の板に、対応する穴をあけてはめ込むと正確な位置決めができます。写真右はガイドピンで、写真左は正方形の各辺の中点にガイドピンを取り付け、それに合わせて穴をあけた位置決め板を取り付け、中央の10mm角の穴に試料を取り付けできるようにしたものです。
樹脂に直接ネジを切る場合、頻繁にネジの締めはずしを行うとネジ山がつぶれます。そのためヘリサートまたはスピンサートとよばれる金属部品を挿入すると山がつぶれず長く使用できます。写真右はテフロンの板にヘリサートを取り付けたもので、左はその板にバネ板を、ヘリサートを使用してネジ止めして試料押さえとしています。
低接触抵抗の電極を製作するには、研磨によって電極表面の粗さを取り、金メッキをする必要があります。研磨は通常50〜100umの粗さで行います。また電極以外の金属部分の場合は、ニッケル、クロムメッキを行います。写真左はクロムメッキを行っています。右は、表面抵抗や体積抵抗を正確に測定するため、表面研磨を行い金メッキを施した電極です。
試料を吸着固定したい場合、吸着用試料ステージを製作します。吸着の方式は試料の表面の粗さや反れの程度により設計します。基本的に表面を研磨し、ご指定によりメッキ処理を行います。試料ステージ下面からのプロービングや試料ステージの水冷にも対応します。試料ステージの厚さは通常10mm前後で製作できるため冷却・加熱の時の温度応答が速いのが特徴です。写真は4本のスリットにより100mm角の試料を吸着し、水冷によって試料温度の制御ができるもので、(独)産業技術総合研究所様より高い評価をいただいております。
恒温槽等に試料箱を入れ、設定した温度・湿度の雰囲気を箱の中に導入したい場合、蓋に開口部を設け金網を取り付けます。写真は高抵抗デバイスの、抵抗-温度特性測定のためのシールドボックスです。
暗箱等の製作の場合、蓋の隙間から光が入らないよう遮光処理を行います。中は黒つや消し塗装にするか専用の黒樹脂板で加工します。写真左は黒樹脂を加工した手のひらサイズの暗箱です。右は半導体CV測定のため遮光処理を行ったシ−ルドボックスです。
Oリングやゴムパッキンを使用し、1mmHgまでの気密処理を行います。写真は外形250×250×250mmの気密チェンバ−に、黒アクリル板を内装して暗箱とし、光学窓や気密コネクタを取り付けたものです。ペルチェ素子を使用して試料を0℃以下に制御する場合、結露を防ぐために、事前にドライ窒素ガスでパージできます。
連続使用−273℃〜800℃。密度2.52 体積抵抗率1016Ωcm。吸水率0%、広範な機械加工(切断、旋削、フライス削り、研削、穴あけ、ねじたて)が可能です。超精密仕上げ(穴あけ10um、研磨による面粗さ
0.01um)可能。真空用、耐放射線材料としても使用できます。
連続使用温度260℃ 吸水率 0.03%。比重1.42 体積抵抗率、表面抵抗率とも1015Ωcm。100mm角単位、厚さ5/10/15/20/30mm。加工性の良い耐熱樹脂です。
黒ツヤ消し。熱変形温度220℃(ASTM
D648)。通常厚さ10mm。 比重1.63 吸水率
0.10%。体積抵抗率1013Ωcm、表面抵抗率1015Ωcm。加工性が良く、精密加工ができます。耐熱や高抵抗測定以外の一般的な用途にも幅広く使用できます。
連続使用温度260℃ 吸水率 0.0%。体積抵抗率1018Ωcm。高抵抗測定における治具等の絶縁材料として優れています。材質が柔らかいため精密加工は困難です。また1mm以下の厚さの製品は変形するためできません。
連続使用温度150℃ 吸水率 0.0%。体積抵抗率1018Ωcm。高抵抗測定における治具等の絶縁材料として優れています。PTFEより硬く、精密加工が可能です。150℃以上に加熱するクライオスタットのサンプルホルダーには適しません。